III族氮化物由于其宽的直接带隙与优异的稳定性,被广泛用于发光二极管(LED)、激光器和大功率/高频电子器件。其中,高品质氮化铝(AlN)薄膜的生长与深紫外LED的构筑是目前氮化物领域研究的重点与热点
第一作者:邓兵通讯作者:彭海琳、刘忠范通讯单位:北京大学、北京石墨烯研究院 研究亮点:1. 制备了4英寸CuNi(111)铜镍合金单晶薄膜,并以其为生长基底实现了4英寸石墨烯单晶晶
石墨烯是具有独特的二维蜂窝状晶体结构的新型纳米碳材料,其电学、热学、光学和力学等性能非常优异,在高端电子和光电子器件、能源转化与存储、复合材料等领域有着广阔的应用前景。“制
近日,彭海琳教授课题组与牛津大学的陈宇林教授团队合作,揭示了超高迁移率层状Bi2O2Se半导体的电子结构及表面特性。这项工作透彻解析了此种新型超高迁移率层状Bi2O2Se半导体材料电子结构,并为其进一
如何实现高品质粉体石墨烯的低成本与规模化制备是石墨烯实现应用的关键。目前,石墨烯的制备主要有液相剥离(LPE)和化学气相沉积(CVD)两种方法,LPE法可以实现石墨烯的低成本与规模化制备,但制备过程繁
近日,刘忠范院士和魏迪研究员等人发现,使用多级结构三维石墨烯泡沫作为电极制备的超级电容器(Supercapacitor, SC)在光照下,由于光热效应,器件的电容、能量密度和功率密度都得到大幅提高。
北京时间2018年7月6日,Science 子刊发表了北京大学张锦教授团队、刘忠范院士团队在石墨烯双炔薄膜方面的突破性进展,该研究内容主要是发展了石墨双炔薄膜的溶液相范德华外延生长法,分析并验证了其生长机理。同时,实现了石墨烯上单/少层石墨双炔单晶薄膜的控制合成,并且系统地研究了其堆垛结构和基本物性
近日,彭海琳教授团队利用等离子体辅助化学气相沉积(PECVD)法,直接在铝箔上生长多层石墨烯薄膜作为保护层,并证明了其在LiPF6和LiTFSI基电解液中,能有效地改善铝箔集流体的抗腐蚀性能。文章对比
石墨烯具有宽带吸收和优异的光热特性的优点,并且具有有望作为重要的太阳能-热能转换材料。然而,迄今为止,具有卓越的全向光收获性能的石墨烯太阳能热材料仍然难以制备。北京大学刘忠范院士和彭海琳教授课题组使用
近日,彭海琳教授团队及其合作者首次发现一类同时具有超高电子迁移率、合适带隙、环境稳定和可批量制备特点的全新二维半导体(硒氧化铋,Bi2O2Se),在场效应晶体管器件和量子输运方面展现出优异性能。系统的
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