四英寸/六英寸单晶石墨烯晶圆

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通过"磁控溅射+固相外延重结晶"的技术制备铜单晶晶圆，进而在铜单晶衬底上外延生长得到单晶石墨烯晶圆。利用界面结合力与热应力工程消除了石墨烯的褶皱与台阶束，使其粗糙度（RMS）降低至1nm以下。相较于普通CVD石墨烯薄膜，单晶石墨烯晶圆具有更高的平整度，媲美机械剥离石墨烯的超强机械性能以及超高的均一性，是石墨烯应用于高性能电子及光电子器件集成的理想材料。

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