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石墨烯单晶晶圆是后硅CMOS时代最具竞争力的电子材料,被认为是未来碳基电子与光电子器件的重要材料基础。六英寸单晶晶圆项目组结合课题组组内单晶金属衬底制备和石墨烯外延生长的基础,通过进一步的工艺优化和设备调试,成功在生产示范线的卧式CVD双管炉体系实现了六英寸石墨烯晶圆的制备。千里之行,始于足下,六英寸单晶晶圆项目组将继续着眼于石墨烯晶圆生长的关键科学问题,发展稳定的批量制备工艺,从而为未来高品质石墨烯单晶晶圆的可控制备和商业化发展做出贡献。
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