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WG16D4—4英寸单晶晶圆项目组通过不断的工艺摸索，并经过了不懈的努力，已经可以成功实现铜和铜镍基底上的毫米尺寸石墨烯单畴的取向一致拼接，进一步提高了单晶石墨烯晶圆的质量。与此同时，项目组研究了基底品质、溅射和退火工艺等对于铜单晶薄膜制备的影响，现行的工艺方案可以有效提高铜薄膜的单晶化程度；同时为进一步提高产量、降低成本，项目组决定采取共溅射的方法，此方法可以将基底制备的时间缩短一半，目前可实现日产12片高质量的铜单晶晶圆，这为以后4英寸单晶晶圆的批量化生产打下坚实的基础。项目组还同时梳理了产品的质检及包装入库流程，目前已有100片产品入库且进行了小批量产品出售。
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