近日，刘忠范院士团队成功发明了石墨烯“分子流”模式的CVD生长方法，在单晶化的铜箔表面实现了毫米级石墨烯单晶阵列的快速批量生长。该方法把数片工业铜箔堆垛成叠层结构或把长条铜箔卷积成卷筒状后置于管式炉CVD生长系统中，通入微量的氧气后在高温下退火，利用氧的化学吸附诱导和氢气后还原的方法使堆垛的多晶铜箔表面快速转化为大面积铜单晶表面，从而为后续毫米级石墨烯单晶的生长提供了高质量、平整的单晶基底。然后，通入甲烷进行石墨烯单晶的成核和生长，当甲烷通入10分钟，就可获得单一晶畴达3毫米的石墨烯单晶的大面积阵列，石墨烯大单晶阵列的生长速度达到300 微米/分钟。相关结果最近的《Advanced Materials》上发表，并已申请了专利。